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IXFH42N60P3
70
60
Fig. 7. Input Admittance
80
70
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
50
T J = 125oC
25oC
60
25oC
40
- 40oC
50
125oC
40
30
30
20
20
10
0
10
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
10
20
30
40
50
60
70
120
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 300V
100
80
60
8
7
6
5
4
I D = 21A
I G = 10mA
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
100
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
1,000
100
10
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
10
R DS(on) Limit
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
100μs
1ms
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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